6.1. Introduction

L'étude du transistor à effet de champ (FET), et plus particulièrement du MOSFET, nous fait basculer dans l'ère de l'efficacité énergétique et de la miniaturisation extrême. Si le chapitre précédent nous a montré qu'un courant peut en commander un autre, ce chapitre va révéler un paradigme plus puissant : le contrôle par le champ électrique.

Si le transistor bipolaire a ouvert la voie à l'électronique active, le transistor à effet de champ (FET) en a repoussé les limites de performance. Contrairement à son cousin le BJT, qui nécessite un courant continu pour rester actif, le FET se pilote par une simple tension, fonctionnant grâce à un champ électrique. Cette particularité lui confère une "impédance d'entrée" virtuellement infinie, signifiant qu'il ne consomme presque aucune énergie de commande. Devenu le composant pilier de nos processeurs (sous sa forme MOSFET) et des systèmes de conversion d'énergie, le FET se distingue par sa rapidité extrême et sa capacité à gérer des courants importants avec une perte de chaleur minimale. Comprendre le FET, c'est découvrir l'outil qui permet de miniaturiser des milliards de fonctions logiques sur une seule puce de silicium.