1. Principes et Terminologie

Le FET est un dispositif unipolaire dont la conduction est contrôlée par un champ électrique.

BorneNomÉquivalent BJTRôle
GGate (Grille)BaseBorne de commande (haute impédance).
DDrainCollecteurBorne d'entrée du courant de puissance.
SSourceÉmetteurBorne de sortie du courant.

2. Comparaison des Familles FET

TypeParticularitéUtilisation Type
JFETToujours "passant" au repos (nécessite une tension pour se bloquer).Préamplificateurs faible bruit.
MOSFETGrille isolée par une couche d'oxyde. Très haute impédance.Commutation rapide, microprocesseurs.
MOSFET de puissanceCapable de commuter des courants très élevés (ampères).Commande de moteurs, alimentations PC.

3. Régimes de Fonctionnement (Canal N)

ÉtatCondition (VGS​)Comportement
Bloqué
Aucun courant ne passe entre Drain et Source.
Linéaire (Ohmique)
Le transistor agit comme une résistance variable ().
Saturation
Le courant  est maximal et constant.

  • VGS(th) : Tension de seuil (Threshold) nécessaire pour "ouvrir" le canal.

  • RDS(on) : Résistance interne du transistor lorsqu'il est passant (plus elle est faible, moins il chauffe).


Last modified: Sunday, 19 April 2026, 1:11 AM